แทนทาลัมโลหะชนิดใด? ราคาเท่าไหร่?

1) การประมวลผลการขึ้นรูปพลาสติก ‌ การประมวลผล hot forging และการอัดขึ้นรูป ‌: แท่งแทนทาลัมที่มีการหลอมต้องถูกปลอมแปลงหลายทิศทางหรืออัดที่ 1100-1250 เพื่อกำจัดข้อบกพร่องของโครงสร้างหล่อและเพิ่มความหนาแน่นมากกว่า 98%; การประมวลผลของโลหะผสมแทนทาลัมจำเป็นต้องมีการป้องกันก๊าซเฉื่อยเพื่อป้องกันการแทรกซึมของการเกิดออกซิเดชันและรอยร้าว 28. ‌ การหมุน ‌: 600-800 ระดับกระบวนการกลิ้งอุ่น ๆ 28 ‌ การประมวลผล cold ‌Pure tantalum สามารถปลอมแปลงโดยตรงหรือยืดที่อุณหภูมิห้องซึ่งเหมาะสำหรับการประมวลผลชิ้นส่วนที่มีความแม่นยำเช่นลวดและแผ่นบาง ๆ แต่ต้องมีการควบคุมรอยขีดข่วนพื้นผิว 8

2). การเตรียมโลหะ metallurgy ‌ กระบวนการไหลของผงแทนทาลัมและผงอัลลอยด์→การกด isostatic เย็น→การเผาอุณหภูมิสูง (1300-2050 องศา \/สูญญากาศสูง) →การหลอม→การตัดเฉือน; ความพรุนสามารถไปถึง 14.89%ซึ่งใช้สำหรับการปลูกถ่ายรูพรุนทางการแพทย์ 6. ลักษณะการทำงานของประสิทธิภาพการหลอมกับลำแสงอิเล็กตรอนสูญญากาศ, โลหะผสมแทนทลาลัมโลหะผงมีความแข็งแรงสูงกว่า

3) เทคโนโลยีการตัดเฉือนที่แม่นยำ ‌ กระบวนการ ‌ การตัดแบบตัด\/การตัดเลเซอร์ ‌: การประมวลผลชิ้นส่วนรูปทรงพิเศษที่ซับซ้อน (เช่นแหวนแทนทาลัม, หน้าแปลนแทนทาลัม), ความแม่นยำของขอบ± 0. 02mm28; ‌CNC Milling‌: ความขรุขระพื้นผิว RA<0.4μm, flatness error ≤0.02mm/100mm8. ‌Surface treatment‌Divided and step-by-step polishing technology: Real-time adjustment of polishing parameters through film thickness fitting model to achieve uniform film thickness of lithium tantalate bonding sheet (secondary polishing after error compensation)1.

4) เทคโนโลยีการถลุงและการลดลง ‌ore decomposition ‌ ใช้วิธีการสลายตัวของกรดไฮโดรฟลูออริกหรือวิธีการหลอมละลายโซเดียมไฮดรอกไซด์รวมกับการสกัดตัวทำละลาย (เช่นเมทิลไอโซโบติลล์คอปเปอร์) เพื่อแยกแทนทาลัมและ niobium35 ‌ การลดความร้อนด้วยโลหะวิธีการลดความร้อน ‌: โพแทสเซียม fluorotantalate (k₂taf₇) ลดลงเพื่อผลิตผงแทนทาลัมที่มีพื้นที่ผิวจำเพาะสูงซึ่งเหมาะสำหรับการผลิตตัวเก็บประจุ 5; ‌ คาร์บอนวิธีการลดความร้อน: tantalum pentoxide จะลดลงเป็น tantalum โลหะซึ่งมีต้นทุนต่ำ แต่ต่ำกว่าความบริสุทธิ์เล็กน้อย (จำเป็นต้องมีการกลั่นที่ตามมา) 35

5) กระบวนการพิเศษ (การผลิตวัสดุเป้าหมาย)‌เทคโนโลยีที่มีผลผูกพัน ‌tantalum เป้าหมาย (φ 200-450 mm × 6-12 mm) ถูกผูกมัดกับแผ่นหลังทองแดงโดยการเชื่อมการแพร่กระจายและความต้านทานความร้อนของอินเทอร์เฟซคือ<1×10⁻⁶ m²·K/W7. ‌Micro-control‌EBM smelting refines the grains to 20-50μm, and vacuum annealing (1200℃×2h) eliminates stress to form a uniform β phase structure67.