ทังสเตนสปัตเตอร์เป้าหมาย

ทังสเตนสปัตเตอร์เป้าหมาย

ชื่อ 1.Attributes: เป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะที่มีความบริสุทธิ์สูง
2. ชื่อผลิตภัณฑ์: เป้าหมายการสปัตเตอร์ทังสเตน
3.สัญลักษณ์ธาตุ:ว
4.ความบริสุทธิ์:3N5
5.รูปร่าง: เป้าหมายระนาบ, เป้าหมายโรตารี
ส่งคำถาม
การแนะนำสินค้า

โลหะทังสเตนที่มีความบริสุทธิ์สูงที่ใช้ทำชิ้นงานทังสเตนสปัตเตอริงมักจะเปราะและใช้งานยาก ทังสเตนสามารถคงความแข็งไว้ได้ (ซึ่งมากกว่าเหล็กหลายชนิด) และมีความเหนียวเพียงพอที่จะทำให้ง่ายต่อการแปรรูปหากขึ้นรูปเป็นวัสดุที่บริสุทธิ์มาก ผ่านกระบวนการตีขึ้นรูป ยืด หรืออัดขึ้นรูป โดยทั่วไปแล้ว การเผาผนึกยังใช้เพื่อสร้างวัตถุทังสเตน

ทังสเตนมีความต้านทานแรงดึงสูงสุด ความดันไอต่ำสุด (ที่อุณหภูมิเกิน 1650 องศา 3000 องศาฟาเรนไฮต์) และจุดหลอมเหลวสูงสุดของโลหะทั้งหมดในรูปแบบบริสุทธิ์ (3422 องศา 6192 องศาฟาเรนไฮต์) ในบรรดาโลหะบริสุทธิ์ทั้งหมด ทังสเตนมีค่าสัมประสิทธิ์การขยายตัวทางความร้อนน้อยที่สุด การเชื่อมต่อแบบโควาเลนต์ที่แข็งแกร่งซึ่งสร้างขึ้นโดยอิเล็กตรอน 5d ระหว่างอะตอมของทังสเตนทำให้ทังสเตนมีการขยายตัวทางความร้อนต่ำ จุดหลอมเหลวสูง และความต้านทานแรงดึงสูง เหล็กกล้ามีความทนทานมากขึ้นเมื่อผสมทังสเตนในปริมาณที่พอเหมาะ

การผลิตชิ้นงานทังสเตนสปัตเตอริงในรูปแบบต่างๆ และความบริสุทธิ์เป็นลักษณะเฉพาะของ Yusheng Metal ซึ่งส่วนใหญ่จะใช้ในสารกึ่งตัวนำและไมโครอิเล็กทรอนิกส์ เนื่องจากมีจุดหลอมเหลวสูงที่สุดในบรรดาโลหะทั้งหมด ชั้นทังสเตนซึ่งเป็นส่วนหนึ่งของทรานซิสเตอร์แบบฟิล์มบางที่ใช้ในหน้าจอ TFT-LCD จึงมีความเสถียรอย่างไม่น่าเชื่อในสภาพแวดล้อมที่มีอุณหภูมิสูง ชิ้นงานของเรามีความหนาแน่นสูงขึ้น ขนาดอนุภาคโดยเฉลี่ยต่ำลง และความบริสุทธิ์สูงขึ้นอันเป็นผลมาจากเทคนิคการขึ้นรูปที่ไม่เหมือนใครของเรา ช่วยให้คุณใช้ประโยชน์จากกระบวนการที่รวดเร็วขึ้นเนื่องจากความเร็วสปัตเตอร์ที่สูงขึ้นและสร้างชั้นทังสเตนที่เป็นเนื้อเดียวกันมาก

เทคนิคการผลิตที่ยืดหยุ่นของเราช่วยให้เราสามารถปรับเปลี่ยนโครงสร้างจุลภาคเพื่อให้ได้ผลลัพธ์ที่ต้องการ ผู้ใช้สามารถได้รับประโยชน์จากอัตราการสึกกร่อนคงที่และชั้นที่เป็นเนื้อเดียวกัน หากเกรนของเป้าหมายการสปัตเตอร์เรียงตัวสม่ำเสมอ 100 ม. คือขนาดเกรนทั่วไป

เป้าหมายการสปัตเตอร์โลหะต้องมีความบริสุทธิ์ทางเคมีที่ดีเยี่ยม เนื่องจากจะทำให้ได้ฟิล์มที่มีค่าการนำไฟฟ้ามากขึ้น และลดการก่อตัวของอนุภาคในระหว่างกระบวนการ PVD ใบรับรองการวิเคราะห์ทั่วไปสำหรับเป้าหมายทังสเตน 3N5 แสดงไว้ด้านล่าง

เทคนิคการวิเคราะห์:

1. ใช้ GDMS และ ICP-OES เพื่อตรวจสอบองค์ประกอบโลหะ
2. LECO ตรวจสอบส่วนประกอบของก๊าซ

Tungsten Sputtering Target Analytical Techniques

การเตรียมวัสดุ การเผาผนึก และการวิเคราะห์ทางเคมีเป็นขั้นตอนในการเตรียมเป้าหมายการสปัตเตอร์ทังสเตน การรีด การหลอมโลหะ การตรวจสอบโลหะ การผลิต การตรวจสอบสามมิติ การทำความสะอาด การตรวจสอบขั้นสุดท้าย บรรจุภัณฑ์ และการขนส่ง

 

ทังสเตนสปัตเตอร์เป้าหมายและเทคนิคการเตรียม
ความบริสุทธิ์มากกว่า 99.95 เปอร์เซ็นต์ , 2.2–2.6 มม., การกดเย็นแบบไอโซสแตติกเป็นเวลา 5–10 นาที, 2300–2400 องศา, 8–12 ชั่วโมงของการเผาผนึกแบบเหนี่ยวนำความถี่กลาง และส่วนผสมของผงทังสเตน 1450–1500 องศา มันถูกรีดร้อนให้มีความหนา 5–15 มม. โดยผ่านหลายครั้ง โดยมีการเสียรูปทั้งหมดมากกว่า 60 เปอร์เซ็นต์ หลังจากการหลอมที่อุณหภูมิ 1550 องศา เป็นเวลา 90–180 นาที หลังจากการหลอมเป็นเวลา 90 ถึง 150 นาทีที่อุณหภูมิ 1,300 ถึง 1,400 องศา การประมวลผลทางกลจะดำเนินการ วัสดุเป้าหมายทังสเตนขั้นสุดท้ายไม่เพียงแต่มีประสิทธิภาพที่ดีเท่านั้น แต่ยังง่ายต่อการแปรรูปพอสมควร และไม่ต้องใช้อุปกรณ์ราคาแพง ปริมาณการประมวลผลเชิงกลบนพื้นผิวประมาณ 1.5 มม.

 

มีโลหะผสมเป้าหมายทังสเตนอื่น ๆ
เป้าหมายที่ทำจากไททาเนียมทังสเตน, โลหะผสมไททาเนียมทังสเตน, ทองแดงทังสเตน, แมงกานีสทังสเตน, นิกเกิลทังสเตน ฯลฯ

 

ป้ายกำกับยอดนิยม: ทังสเตนสปัตเตอร์เป้าหมาย ซัพพลายเออร์ ผู้ผลิต โรงงาน กำหนดเอง ซื้อ ราคา ใบเสนอราคา คุณภาพ ขาย ในสต็อก

ส่งคำถาม

หน้าหลัก

โทรศัพท์

อีเมล

สอบถาม